Semiconductor キオクシアの512Gbフラッシュ、書き込み性能が第6世代比61%向上 既存のメモリーセル技術と先進的なCMOS技術を接合する第9世代3Dフラッシュメモリーが、512Gb品としてサンプル出荷に入った。キオクシアの測定… 2025.07.27