Technology
USB4対応の携帯SSD「P9」「P7」、読み出し速度は最大4000MB/秒
USB4に対応する携帯SSD「P9」「P7」は、公称容量が最大8TB、シーケンシャル読み出し速度が最大4000MB/秒となる。読み出し速度はSa…
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Samsung Electronics
Semiconductor
400層超のV-NAND V10、V9比で密度58％・書き込み速度45％向上
V-NAND V10は3-Stack技術で400層超へ達した。Samsung Electronicsによると、V9比で密度を58％、書き込み速度…
Semiconductor
HBMをAIアクセラレータ上へ積層、中間配線を省くzHBM
HBMをAIアクセラレータの上へ直接積層するzHBMが、中間配線を省いたデータ経路を構成する。Samsung Electronicsは、メモリー…
Semiconductor
400層超のNANDをウェハーボンディングで積層、前世代比約58％高密度化
ウェハーボンディングで400層超のメモリーセルを積層し、前世代より約58％高密度なNANDが登場した。この垂直接合は、HBMをAIアクセラレータ…
Semiconductor
特定のAI計算をメモリ内で直接実行するLPDDR5X-PIM
特定のAI計算をメモリ内部で直接実行するLPDDR5X-PIMが披露された。PIM技術をLPDDR5Xへ統合し、計算に伴うデータ移動を減らしてA…
Semiconductor
DDR1からDDR6までメモリー標準化を支えたMian Quddus氏、FMS功労賞を受賞
異なる企業のメモリー製品は、供給企業とOEMがJEDECで策定する共通仕様によって相互運用の土台を共有する。標準化への関与はDDR1からDDR6…