スマートフォン向けのUFS組み込みフラッシュメモリーが、通信規格MIPI M-PHY v5.0に対応する。キオクシアの測定では、新しい256GB品の連続読み出し性能が従来品比約90％向上した。通信インターフェースの理論速度と、実際のメモリーの読み書き性能を分けて示している。
3Dフラッシュメモリーに新しい通信規格を組み合わせる
キオクシアが開発した新しいUFS組み込みフラッシュメモリーは、MIPI M-PHY v5.0に対応する。記憶部分には、3DフラッシュメモリーのBiCS FLASHを採用する。
新製品が対象とするのは、先端スマートフォンを含むモバイル用途だ。フラッシュメモリーによる記憶部分と、ホスト側との通信インターフェースを組み合わせた製品として提供する。
2レーンの理論速度は最大46.4Gbps
MIPI M-PHY v5.0のHS-GEAR5モードでは、理論上のインターフェース速度が1レーン当たり最大23.2Gbpsとなる。2レーンを使う場合は最大46.4Gbpsで、これは通信インターフェースの理論値を指す。
UFSのシリアルインターフェースは全二重通信に対応する。この通信方式により、ホストプロセッサーとメモリーの間で読み出しと書き込みを同時に行うことができる。
256GB品は連続・ランダムの両方で性能が向上
キオクシアの測定では、新しい256GB品の連続読み出し性能が約90％、連続書き込み性能が約70％向上した。比較対象は従来の256GB品THGJFGT1E45BAIPで、同じ容量の製品間での性能差となる。
同じ従来品との比較で、ランダム読み出し性能は約35％、ランダム書き込み性能は約60％向上した。これらの読み書き性能は特定の試験環境で得た最良値であり、使用機器や読み書きするファイルサイズによって速度は変わる。
256GB品を先行させるサンプル供給
キオクシアは新製品に128GB、256GB、512GBの3容量を用意する。サンプル出荷は256GB品を2月25日から先行させ、残る容量は8月以降に順次開始する予定としている。
供給するサンプルの仕様は、量産製品と異なる場合がある。今回の性能比較は256GB品について示された値となる。