UFS Ver. 4.1対応の組み込みフラッシュメモリーが、記憶素子の接合構造を更新し、読み書き性能と電力効率を高めた。キオクシアがサンプル出荷を始めた新製品では、512GB品のランダム読み出し性能がメーカー測定で前世代比約45％向上した。
512GB・1TB品で回路と記憶領域を直接接合
新しい組み込みメモリーは、3DフラッシュメモリーとコントローラーをJEDEC標準のパッケージに収める。キオクシアはUFS Ver. 4.1対応品のサンプル出荷を開始しており、容量は256GB、512GB、1TBを用意する。
このうち512GB品と1TB品は、3Dフラッシュメモリー「BiCS FLASH」の第8世代を採用する。接合技術のCBA（CMOS directly Bonded to Array）は、CMOS回路をメモリーアレイへ直接接合する構造で、キオクシアは電力効率、性能、密度の向上を可能にすると説明している。
容量別に異なるランダム読み出しの改善幅
キオクシアの測定では、512GB品のランダム読み出し性能が前世代の同容量品「THGJFMT2E46BATV」比で約45％向上した。1TB品も、前世代の同容量品「THGJFMT3E86BATZ」比で約35％向上しており、読み出しの改善幅は容量によって異なる。
ランダム書き込み性能は、512GB品と1TB品のいずれも、それぞれの比較対象に対して約30％向上した。読み書き速度はキオクシアの特定の試験環境で得た最高値であり、使用機器や読み書きするファイルサイズによって変わる。
読み出しと書き込みの電力効率も改善
性能の比較対象となった512GB品と1TB品では、読み出し時の電力効率も改善した。キオクシアは、それぞれの前世代品に対して約15％の改善としている。
書き込み時の電力効率は、両容量とも前世代品比で約20％改善した。性能と電力効率の改善値は、512GB品と1TB品を対象とする。
内部処理のタイミングとバッファー容量を調整
新製品は、ホスト側から内部処理のタイミングを調整するHost Initiated Defragmentationに対応する。キオクシアは、この機能によってガベージコレクションを遅らせ、処理性能を維持したい重要な時間帯に高速動作を途切れさせずに利用できるとしている。
書き込み機能のWriteBoosterでは、バッファーサイズを変更できるようにした。物理的な実装も更新され、1TB品のパッケージ高さは前世代の同容量品より低くなった。