Semiconductor
400層超のV-NAND V10、V9比で密度58％・書き込み速度45％向上
V-NAND V10は3-Stack技術で400層超へ達した。Samsung Electronicsによると、V9比で密度を58％、書き込み速度…
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Bonding V-NAND
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400層超のNANDをウェハーボンディングで積層、前世代比約58％高密度化
ウェハーボンディングで400層超のメモリーセルを積層し、前世代より約58％高密度なNANDが登場した。この垂直接合は、HBMをAIアクセラレータ…