北上工場第2製造棟で、第8世代に続いて第10世代3Dフラッシュメモリーの生産が始まった。両世代はCMOSをメモリーアレイへ直接接合するCBA技術を採用し、第10世代の導入に合わせて生産を拡大する計画だ。
第8世代を生産してきた製造棟に第10世代を追加
メモリーメーカーのキオクシアとSandiskは、岩手県の北上工場第2製造棟で第10世代3Dフラッシュメモリーの生産を開始した。この製造棟は2025年9月に開所し、第8世代製品を生産してきた。
両世代でCMOSとメモリーアレイを直接接合
第8世代と第10世代は、CBA（CMOS directly Bonded to Array）と呼ぶ直接接合技術を採用する。CMOSとメモリーアレイを直接接合する構成で、キオクシアとSandiskは、両世代の製品が高性能・大容量・低消費電力を備えるとしている。
製造装置の配置空間を広げる省スペース設計
製品を生産する第2製造棟は、省スペース設計によってクリーンルーム内で製造装置に使える空間を広げている。生産効率の向上にはAIも利用しており、装置の配置と生産管理の両面で製造基盤を整えている。
合弁枠組みを延長し、第10世代の生産拡大へ
キオクシアとSandiskは、合弁事業の枠組みを2034年12月まで延長した。第2製造棟では、第10世代製品の導入に伴って生産を拡大する方針だ。