218層の3Dフラッシュメモリーが、CMOSと記憶セルを別々のウエハーで製造して接合する方式を採用した。横方向の微細化も組み合わせ、キオクシアとWestern Digitalは、NAND入出力速度が前世代比60％向上したとしている。
CMOSと記憶セルを別々に製造して接合
新しい製造方式では、CMOSウエハーと記憶セルアレイのウエハーを、それぞれに適した条件で別々に製造する。完成した二つのウエハーを接合する技術が、CBA（CMOS directly Bonded to Array）である。
この接合方式を採用したのは、メモリーメーカーのキオクシアとストレージメーカーのWestern Digitalが開発する3Dフラッシュメモリー、BiCS FLASHの第8世代だ。回路側と記憶セル側の製造条件をそれぞれに合わせたうえで、一つのメモリーへ組み合わせる。
218層の積層に横方向の微細化を組み合わせる
記憶セル側は218層を積み重ね、4プレーンの構成を採る。積層に加えて横方向にも微細化を進めることで、ビット密度を高める。
キオクシアとWestern Digitalは、この横方向の微細化によるビット密度の向上幅を50％超としている。高密度化には、層を積み重ねる方向と、横方向の寸法を縮める方向の両方を使う。
NAND入出力速度は3.2Gb/s超
高密度化とともに、メモリーの入出力性能も更新する。キオクシアとWestern Digitalが示すNAND入出力速度は3.2Gb/sを超え、前世代に対する向上幅は60％となる。
書き込みと読み出しも改善し、サンプル出荷へ
キオクシアとWestern Digitalは、入出力速度に加え、書き込み性能と読み出し遅延の改善幅をそれぞれ20％としている。データの入出力、書き込み、読み出しの各項目で性能更新を示した。
第8世代のメモリーは、キオクシアによる限定顧客向けサンプル出荷が始まった。