DRAMを垂直積層した512GBサーバーメモリーを実証

DRAMダイの垂直積層によって、1枚で512GBの容量を持つDDR5サーバーメモリーが実証された。Micronは複数のサーバープラットフォームでの動作を発表し、同じ容量を128GBモジュール4枚で構成する場合との電力比較も示した。

ダイの垂直積層で1枚512GBを実現

半導体メモリーメーカーのMicron Technologyは、512GB DDR5モジュールを複数のサーバープラットフォームで実証したと発表した。サーバー向けメモリーモジュールのRDIMMとして、128GBモジュール4枚分の容量を1枚に集約している。

高密度化を支えるのは、DRAMダイを垂直に積み重ねるパッケージングだ。積層したダイをシリコン貫通電極のTSVで接続し、個々のDRAMパッケージ内の密度を高めることで、512GBのモジュール容量を実現している。

モジュール単位の高密度化は、サーバー全体の搭載容量につながる。Micronによると、24スロットを備えるデュアルソケットサーバーでは、512GBモジュールを使って最大12TBのDDR5 DRAMを搭載する構成が可能になるという。

この容量をデータ処理に生かす狙いは、大きなデータセットを主記憶に保持することにある。Micronは、主記憶に保持できるデータを増やすことで、低速なストレージへの依存とデータ移動を減らせるとしている。

Micronが示した電力比較では、512GBモジュール1枚の動作電力は16.0Wで、128GBモジュール4枚の合計44.2Wに対して60%超少ない。比較対象は同じ512GBの容量を持つメモリーモジュール構成であり、サーバー全体の消費電力を示す値ではない。

処理性能については、メモリー容量が制約となる処理を対象にしている。Micronは、分散処理基盤のSparkで機械学習手法のSVMを用いるデータ分析などで、512GB RDIMMが256GB DDR5構成に対し最大1.4倍の性能を提供できるとしている。

複数のサーバープラットフォームでの実証に続き、半導体メーカーのAMDとIntelが512GB DDR5 RDIMMの検証を進めている。Micronが予定する最大転送レートは9,200 MT/sで、今回の実証で達成した速度としては示していない。

Micronは、顧客の需要に合わせて2027年後半に量産を開始する見込みとしている。