ニューヨーク州クレイのメモリー工場で初回のコンクリート打設が行われ、造成から建屋建設へ移った。Micronは当初計画より1四半期超早い進捗とともに、2035年までの米国内の工場・技術投資計画を2500億ドル超へ引き上げた。
主要な造成工事を終え、建屋を立ち上げる段階へ
メモリーメーカーのMicron Technologyは、ニューヨーク州クレイで主要な初期造成工事を終えた。2026年1月の着工から6カ月未満で初回のコンクリート打設に進み、工事は造成から建屋建設へ移行した。
Micronによると、この打設は当初計画より1四半期超早い。ニューヨークの計画は最大4工場で構成され、今回の建設段階の移行はその敷地での進捗に当たる。
設計、敷地インフラ、調達・建設の担当を組む
第1工場のエンジニアリング、調達、建設には、建設企業Bechtelが協力する。建築・エンジニアリング設計は設計企業Jacobsが、建設準備と敷地インフラ工事は建設企業Gilbane Building Companyが担当する。
初期造成段階では、ニューヨーク州の施工業者、供給業者、下請け業者への発注が約6億7500万ドルに達した。Micronが示したこの金額は、発表時点までの総発注額の半分を超える。
米国内の工場・技術投資計画を2500億ドル超へ
建設を進めるMicronは、2035年までの米国内の工場・技術投資計画を2500億ドル超へ引き上げた。製造拠点の整備では、自社のDRAMの40％を米国内で生産する長期目標を掲げている。
工場への投資とともに、米国内の半導体供給網の整備にも最大30億ドルを投じる計画だ。この供給網整備は、米国内の製造拠点を支えるための投資に位置付けられている。
バージニアは初期生産、アイダホはウェハー生産を予定
米国内の製造拠点では、Micronが2026年にバージニアで1α世代のDDR4の初期生産を開始した。このメモリーは、自動車、産業、医療、航空宇宙、防衛市場で、長期にわたる製品ライフサイクルの需要に対応する。
アイダホでは、第1工場の最初のウェハー生産を2027年半ばに見込む。第2工場の最初のウェハー生産は2028年後半を予定している。