650Vの窒化ガリウム（GaN）電力変換用トランジスタ「Gen IV Plus」は、従来のGen IV比でオン抵抗を14％下げ、30mΩとした。シリコン互換の駆動構成を維持し、上面・下面の放熱経路を選べるパッケージを用意する。
オン抵抗30mΩと小型ダイを両立
ルネサス エレクトロニクスの公表値では、新世代の電力変換用トランジスタGen IV Plusは、オン抵抗が30mΩとなった。従来のGen IVに対する低減率は14％で、ダイ面積も14％小さくなっている。
オン抵抗だけでなく、出力容量との組み合わせにも改善がある。ルネサスは、両者の積による性能指標が従来世代比で20％改善したとしている。
シリコンMOSFETを入力段に使う駆動構成
新製品が採用する半導体構成SuperGaNは、デプレッション型GaNに低電圧シリコンMOSFETを組み合わせる。この組み合わせで、ゲートを駆動していないときにオフとなるノーマリーオフ動作を実現する。
入力段にはシリコンFETを使うため、駆動信号もシリコン向けの方式に対応する。ルネサスによると、新製品は標準的な市販ゲートドライバーで駆動できる。
上面と下面から選べる放熱経路
駆動構成に加え、実装時にはTOLT、TO-247、TOLLの3種類からパッケージを選択できる。表面実装用のTOLTは上面、TOLLは下面に熱伝導経路を持ち、放熱する方向が異なる。
これらのパッケージで供給する新製品を、ルネサスは1～10kWの電力システム向けとしている。さらに高い電力に対応する構成として、デバイスの並列接続を挙げている。
3製品の供給を開始し、既存設計の更新に対応
供給を開始した650V GaN FETは、TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS、TP65H030G4PQSの3製品である。いずれも新世代のGen IV Plusに属する。
ルネサスは、新製品が既存設計と互換性を持つとしている。製品の置き換えによって、既存の設計を生かした更新に対応する。