従来型から先端パッケージまでを製造対象とする半導体の組み立て・検査拠点が、インドで計画されている。建設・運営に向けた合弁契約の締結と政府承認が完了し、生産能力は段階的に1日1500万個へ引き上げる。
サナンドで組み立て・検査を受託する拠点
半導体の組み立て・検査を受託するOSAT施設の建設予定地は、インドのグジャラート州サナンドだ。産業機器メーカーのCG Power and Industrial Solutions、半導体メーカーのルネサス エレクトロニクス、タイの組み立て・検査受託企業Stars Microelectronicsが、施設を建設・運営する合弁会社の設立に向けた契約を締結した。
この合弁事業の計画は、2月29日にインド政府の閣議で承認された。承認は、インドの半導体支援制度に基づくものだ。
先端技術と従来型パッケージ技術を分担
拠点に導入する技術は、参加企業が分担して提供する。ルネサス エレクトロニクスは先端半導体技術と専門知識を担い、Stars Microelectronicsは従来型パッケージの技術に加え、トレーニングと技術習得の支援を担う予定だ。
QFN・QFPからFC BGA・FC CSPまでを製造対象に
合弁事業の製造計画には、従来型パッケージのQFN・QFPと、先端パッケージのFC BGA・FC CSPが含まれる。技術提供の分担に対応して、製造対象も従来型と先端型の双方にまたがる。
ルネサス エレクトロニクスが示した供給先の計画には、自動車、民生機器、産業機器、5Gなどの分野が含まれる。施設は、これらの分野に向けたパッケージ製造を担う予定だ。
日産1500万個へ段階的に能力を拡大
ルネサス エレクトロニクスによると、製造施設の生産能力は段階的に1日1500万個まで引き上げる計画だ。この数字は、稼働済みの施設の実績ではなく、計画上の到達能力を示す。
合弁事業は、5年間で760億インドルピーを投資する予定だ。資金は補助金と出資を組み合わせ、必要に応じて銀行借り入れも利用する計画となっている。