Semiconductor

PC向けSSD「BG7」、新世代フラッシュで書き込み電力効率を改善

この記事のポイント

  1. 実現したこと

    PC向けSSD「KIOXIA BG7 Series」のサンプル評価が一部のPCメーカーで進んでいる。

  2. 実現の仕組み

    CBA技術によるメモリーセル性能の改善に、効率的な制御回路と最適化したSSDコントローラーを組み合わせる。

  3. 得られた結果

    キオクシアの公表値では、シーケンシャル書き込みの電力効率が約67%改善した。

  4. 従来との違い

    従来のM.2 Type 2230と2280に、新たにType 2242の形状が加わった。

ノートPCの基板に装着されたM.2 SSDと、メモリーアレイ層の下にCMOS回路層を直接接合したフラッシュメモリーの概念断面を描いたイラスト。
AI生成画像

PC向けSSD「KIOXIA BG7 Series」が、新世代フラッシュメモリーと制御系の改善を取り込んだ。キオクシアは、シーケンシャル書き込みの電力効率が約67%改善したとしている。第8世代BiCS FLASHを採用する初のクライアント向け製品で、256 GBモデルには第6世代を使う。

メモリーセルと制御系を組み合わせて電力効率を改善

キオクシアのPC向けSSD「KIOXIA BG7 Series」は、3Dフラッシュメモリーの第8世代BiCS FLASHを採用する初のクライアント向け製品だ。このメモリーには、CMOS回路をメモリーアレイへ直接接合するCBA(CMOS directly Bonded to Array)技術を用いる。

キオクシアは、CBA技術によるメモリーセル性能の改善に、効率的な制御回路と最適化したSSDコントローラーを組み合わせ、シーケンシャル書き込みの電力効率を約67%改善したとしている。ただし、256 GBモデルが使用するフラッシュメモリーは第6世代BiCS FLASHで、採用世代は全容量で共通ではない。

読み出し速度はBG6比で約16%向上

キオクシアの公表値では、シーケンシャル読み出し速度は最大7,000 MB/sとなり、従来のKIOXIA BG6 Seriesに対して約16%向上した。ランダム読み書き性能は最大1,000,000 IOPSで、従来比の向上幅は約10%としている。

シーケンシャル読み出しは転送速度、ランダム読み書きは1秒あたりの入出力回数で性能を示している。これらは最大値であり、実際の読み書き速度はホスト機器、読み書き条件、ファイルサイズによって変わる。

ホストのDRAMを利用し、NVMe 2.0dに対応

SSD本体はDRAMを搭載せず、Host Memory Buffer(HMB)に対応する。HMBはホスト側DRAMの一部を利用する仕組みで、PC側のメモリーをSSDの動作に利用できる。

ホストとの接続ではPCIe 4.0とNVMe 2.0dに準拠する。キオクシアは、追加したNVMe 2.0dの機能によって、PCメーカーがより細かな制御を行えるとしている。

Type 2242を追加し、4種類の容量を用意

実装形状には、従来のM.2 Type 2230と2280に加え、Type 2242が新たに加わった。形状の選択肢を増やし、より幅広い取り付け条件に対応する。

容量は256 GB、512 GB、1024 GB、2048 GBの4種類を用意する。キオクシアが1月6日に公表した時点で、一部のPCメーカーはサンプル評価を進めている。