Bluetooth LE半導体「DA14592」は、新しい低消費電力モードで無線通信時の電流を抑える。ルネサスの公表値では受信時1.2mA、送信出力0dBm時は2.3mA。内蔵発振回路の利用で、多くの用途ではスリープ用水晶振動子も不要になった。
2つのCPUコアと低消費電力の無線回路を集積
ルネサス エレクトロニクスのBluetooth LE SoC「DA14592」は、Cortex-M33とCortex-M0+の2つのCPUコアにフラッシュメモリーを組み合わせた半導体だ。無線通信には新しい低消費電力モードを採用している。
ルネサスが示した送信電流は、送信出力0dBmの条件で2.3mAとなる。受信電流は1.2mAで、送信と受信それぞれの動作に対する値として公表している。
保管中は90nA、処理中は34µA/MHz
ハイバネーション時の電流は、ルネサスの公表値で90nAに抑えられる。この低電流は、電池を接続した状態で出荷する製品の保管可能期間を延ばすための特性として位置付けられている。
アプリケーション処理が動作する際のアクティブ電流は34µA/MHzで、動作周波数当たりの電流として示されている。ルネサスは、この特性をアプリケーション処理の多い製品に適したものとしている。
内蔵RCXでスリープ用水晶振動子を省く
DA14592はシステムクロックと高精度な内蔵発振回路RCXを利用し、多くの用途でスリープ用水晶振動子を不要にする。ルネサスによると、必要な外付け部品は通常6個となる。
パッケージは3.32mm×2.48mmのWLCSPと、5.1mm×4.3mmのFCQFNを用意する。ルネサスは、外付け部品の少なさと小型パッケージを組み合わせることで、実装面積の小さい構成につながるとしている。
メモリー拡張と外付け部品込みのモジュールを用意
DA14592はQSPIを備え、内蔵メモリーに加えて外付けフラッシュメモリーやRAMを接続できる。周辺機能には、高精度のシグマデルタADCと最大32本のGPIOも含む。
Bluetooth LEモジュール「DA14592MOD」は、通信構成に必要な外付け部品を組み込み、チップ単体とは異なる実装形態を提供する。DA14592はすでに量産中で、モジュールの各国規制認証取得は2024年第2四半期を目標としている。