第9世代の2Tb QLC 3Dフラッシュメモリーは、実績のあるメモリーアレイに先進的なCMOSを組み合わせる。キオクシアとSandiskによると、6プレーン構成などで読み書きの帯域を高め、NANDインターフェース速度は第8世代比33％増の4.8Gb/sとなった。
回路とセルアレイを別々に製造して接合
第9世代の2Tb QLC 3Dフラッシュメモリー技術を開発したキオクシアとSandiskは、回路側と記憶側を別々に製造して接合するCBA（CMOS directly Bonded to Array）を採用する。CMOSウエハーとセルアレイウエハーをそれぞれに適した条件で製造し、完成したウエハー同士を接合する構成だ。
実績のある記憶側に先進的なCMOSを組み合わせる
接合する二つの要素には、先進的なCMOSウエハーと実績のあるメモリーアレイ基盤を使う。第9世代では、この記憶側の基盤に新しい回路側の技術を組み合わせている。
6プレーン構成で読み書きの帯域を高める
第9世代のメモリーは6プレーン構成を採用する。キオクシアとSandiskによると、この構成と性能改良によって、第8世代の2Tb QLCより書き込み・読み出し帯域が向上した。読み書きの電力効率も、同じ比較対象に対して改善したとしている。
NANDインターフェース速度は4.8Gb/s
読み書きの帯域に加え、メモリーの接続部分に当たるNANDインターフェースも高速化した。キオクシアとSandiskが示した速度は4.8Gb/sで、第8世代のデバイスから33％向上した。この値は特定の試験環境で得られており、使用条件によって変わり得る。