UFS 5.0対応の組み込みフラッシュメモリーが、キオクシアの測定で最大10 GB/sのシーケンシャル読み出しを示した。自社開発コントローラーと第8世代3Dフラッシュメモリーを組み合わせ、1 TBと512 GBの商用サンプルを提供している。
コントローラーとフラッシュをUFS 5.0に組み合わせる
キオクシアの新しい組み込みフラッシュメモリーは、JEDECのUFS 5.0規格に準拠する。内部には自社開発のUFS 5.0コントローラーと、第8世代の3DフラッシュメモリーBiCS FLASHを組み合わせている。
ホストとの通信には、物理層のMIPI M-PHY v6.0とプロトコルのUniPro v3.0を採用し、高速動作モードのHS-Gear6に対応する。キオクシアが示すインターフェース性能は、1レーン当たり最大46.6 Gb/sの理論速度と、2レーンで約10.8 GB/sの実効読み書き性能だ。
製品の読み出しは最大10 GB/s
キオクシアの測定では、512 GBモデルと1 TBモデルのシーケンシャル読み出し性能が最大10 GB/sとなった。1 TBモデルでは、シーケンシャル書き込み性能も最大9.0 GB/sを示した。
これらの製品速度は、インターフェースの理論速度とは区別して読む必要がある。公表値は特定の試験環境で得た最良値であり、実際の読み書き速度は使用機器やファイルサイズによって変わる。
パッケージを7.5×13 mmへ小型化
新製品のBGAパッケージは7.5×13 mmで、比較対象の前世代製品より小さくなった。キオクシアは、電力効率も前世代より向上したとしている。
この比較は容量ごとに対象を定めている。512 GBモデルはTHGJFRT2G48BATV、1 TBモデルはTHGJFRT3G88BATWを前世代の比較対象としている。
スマートフォン向けに2容量のサンプルを提供
新製品は、端末内AIを搭載する高級スマートフォン向けに最適化されている。その組み込みストレージとして、1 TBと512 GBの2容量が商用サンプルとして提供されている。
提供段階は商用サンプルで、量産はこれからとなる。キオクシアは2026年末までに量産を開始する見込みとしている。