Semiconductor
100V窒化ガリウムトランジスタ、シリコン互換の実装に対応
100Vの窒化ガリウム（GaN）電源トランジスタに、シリコンMOSFET互換の実装形態と低損失のスイッチング特性を組み合わせた製品群が加わった。…
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ルネサス
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新旧の車載通信を併用できる28nmマイコン「RH850/U2C」
新旧の車載通信規格に対応する28nmマイコンRH850/U2Cが、既存の電子制御ユニットとの混在動作を支える。ルネサスは、車載ネットワークを段階…
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3nmの検索メモリー、全件不一致なら後段を止めて省電力化
3nmの検索メモリーが、全エントリーの不一致を検出して後段の検索を止め、不要な消費エネルギーを抑える。小規模ブロックを組み合わせて構成を変更でき…
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Wi-Fi 6通信とIoT制御を1チップで担うマイコン
Wi-Fi 6通信とIoTアプリケーションの処理を、1チップで担う無線マイコンがRAファミリーに加わった。外付けマイコンを省く構成に対応し、クラ…
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ルネサスのDDR5メモリー用クロックドライバーが9600 MT/sに対応
DDR5サーバーメモリー向けクロックドライバーの転送速度が、第5世代の8800 MT/sから第6世代の9600 MT/sへ上がった。信号を細かく…
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ルネサスの650V GaNトランジスタ、従来比でオン抵抗14％低減
650Vの窒化ガリウム（GaN）電力変換用トランジスタ「Gen IV Plus」は、従来のGen IV比でオン抵抗を14％下げ、30mΩとした。…
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マイコンRA0E2の内蔵発振器、−40～125℃で精度±1％
マイコンRA0E2は、−40～125℃で精度±1.0％を維持する内蔵高速発振器を備える。従来品との互換性と低消費電力を保ちながら端子数を拡張し、…
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ルネサスのサーバーメモリー制御用IC、消費電力を前世代比45％低減
第2世代DDR5サーバーメモリーを支える制御用ICが、前世代比45％の消費電力低減を実現したとルネサスはしている。最大12,800 MT/sのメ…