Semiconductor
400層超のNANDをウェハーボンディングで積層、前世代比約58％高密度化
ウェハーボンディングで400層超のメモリーセルを積層し、前世代より約58％高密度なNANDが登場した。この垂直接合は、HBMをAIアクセラレータ…
Semiconductor
Semiconductor
特定のAI計算をメモリ内で直接実行するLPDDR5X-PIM
特定のAI計算をメモリ内部で直接実行するLPDDR5X-PIMが披露された。PIM技術をLPDDR5Xへ統合し、計算に伴うデータ移動を減らしてA…
Semiconductor
DDR1からDDR6までメモリー標準化を支えたMian Quddus氏、FMS功労賞を受賞
異なる企業のメモリー製品は、供給企業とOEMがJEDECで策定する共通仕様によって相互運用の土台を共有する。標準化への関与はDDR1からDDR6…
Semiconductor
強誘電体メモリーセル、1000℃まで記憶状態を保持
強誘電体AlScNの薄膜を使うメモリーセルが、室温から1000℃までの試験で記憶状態を保持した。高温でも記憶保持の特性はほぼ変わらず、状態の切り…
Semiconductor
半導体の材料探索と製造工程をGPUで高速化、デジタル開発モデルに接続
半導体の材料解析と製造工程のシミュレーションをGPUで高速化し、材料探索から工程開発までをつなぐデジタル開発モデルが構築された。材料の計算結果を…
Semiconductor
Intel、アイルランドの半導体工場で増産投資を開始 投資額は50億ユーロ
アイルランドの既存半導体工場で、製造設備と自動搬送システムを更新する増産投資が動き出した。Intelは50億ユーロを投じ、Intel 3製造プロ…
Semiconductor
AI向け半導体のメモリー接続と入出力をチップレットで拡張
AI向けカスタム半導体のメモリー接続と入出力を、専用チップレットで構成する設計部品群が示された。SocionextのFlexletsは、再利用で…